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本公开提供了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底上先生长复合层，复合层包括依次层叠在衬底上的第一AlInGaN层、AlGaN层及第二AlInGaN层，AlGaN层上具有多个相互间隔的且延伸至衬底的凹槽。暴露的第一AlInGaN层可以与第二AlInGaN层相接，缺陷会被凹槽侧壁暴露的第一AlInGaN层与AlGaN层阻挡。第二AlInGaN层的Al原子及In原子半径较大，促进第二AlInGaN层的快速生长的同时，有效提高第二AlInGaN层的质量，并提高在第二AlInGaN层生
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112993101 B
(45)授权公告日 2022.05.17
(21)申请号 202110250482.6 H01L 33/32 (2010.01)
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