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集成光电器件和电子器件的半导体器件及其集成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-11 发布于四川
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集成光电器件和电子器件的半导体器件及其集成方法.pdf

    本发明公开了一种集成光电器件和电子器件的半导体器件及其集成方法。该集成方法包括：在GaN单晶衬底的第一极性面制作光电器件结构，在GaN单晶衬底的第二极性面制作电子器件结构，且使电子器件结构与光电器件结构的至少一个电极电连接，或者，光电器件结构的至少一个电极包括电子器件结构；第一极性面和第二极性面中的一者为Ga极性面，另一者为N极性面。本发明GaN单晶衬底的不同的极性面上集成光电器件结构和电子器件结构，能够克服光电器件结构的侧壁损伤从而提高效率，无需巨量转移直接进行集成控制，整体体积更小。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116247071 A (43)申请公布日 2023.06.09 (21)申请号 202310354997.X H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2023.04.

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