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图案化氧化硅-氮化硅-氧化硅堆叠的方法及其形成结构.pdfVIP

图案化氧化硅-氮化硅-氧化硅堆叠的方法及其形成结构.pdf

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    在位于衬底上的导电材料部分之上形成层堆叠。层堆叠包含第一氧化硅层、通过化学气相沉积形成的氮化硅层以及第二氧化硅层。在层堆叠之上形成包括开口的图案化刻蚀掩模层。通过使用各向同性刻蚀工艺各向同性刻蚀下伏在图案化刻蚀掩模层中的开口之下的层堆叠的部分，形成延伸穿过层堆叠并向下延伸到导电材料部分的通孔空腔。可使用缓冲氧化物刻蚀工艺，在缓冲氧化物刻蚀工艺中氮化硅层的刻蚀速率小于第一氧化硅层的刻蚀速率但足够显著，以在氮化硅层上提供锥形直侧壁。可提供包括图案化层堆叠的光学装置。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992671 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 20201

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