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光刻模型生成方法以及OPC修正方法.pdfVIP

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  • 2023-06-11 发布于四川
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光刻模型生成方法以及OPC修正方法.pdf

    本发明揭示了一种光刻模型生成方法及OPC修正方法，本发明提供的光刻模型生成方法包括：提供与光刻系统的弧形狭缝一致的弧形狭缝图案；将弧形狭缝图案沿径向分为多个子狭缝，所述多个子狭缝为连续的；获得每个子狭缝的子光刻模型；则晶圆上一个区域的光刻模型为该区域所对应的多个所述子狭缝的子光刻模型的平均值。由此，能够正确的实现EUV光刻模型的建立，并且是生成了能够实现与一整个弧形狭缝相符合的连续的光刻模型。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110361927 A (43)申请公布日 2019.10.22 (21)申请号 20181

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