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本发明公开了一种源栅间接电连接的先进二极管封装结构，包括半导体器件芯片、阴极金属片、阳极金属片、塑封体；半导体器件芯片的第一表面设置有源极焊盘和栅极焊盘；半导体器件芯片的第二表面设置有漏极焊盘；半导体器件芯片的源极和栅极未直接短接；当所述源极焊盘和栅极焊盘直接短接时，半导体器件芯片为一MOS型先进二极管；源极焊盘、栅极焊盘分别通过电连接件与阳极金属片键合。本发明利用封装电连接电阻，在先进二极管正向工作时，在源极和栅极之间引入一个额外的压降，促进沟道开启，从而在维持漏电流IR不变或者更低的情况下降
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112992834 B
(45)授权公告日 2022.02.18
(21)申请号 202110177369.X 审查员 董蕴萱
(22)申请日 2021.02.09
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