单晶小知识直拉法.docx

直拉法即切克老斯基法〔Czochralski: Cz), 直拉法是半导体单晶生长用的最多的一种晶体生长技术。 直拉法单晶硅工艺过程 －引晶：通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔点的温度，将籽晶浸入熔体，然后以肯定速度向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体； －缩颈：生长肯定长度的缩小的瘦长颈的晶体， 以防止籽晶中的位错延长到晶体中； －放肩：将晶体掌握到所需直径； －等径生长：依据熔体和单晶炉状况，掌握晶体等径生长到所需长度； －收尾：直径渐渐缩小，离开熔体； －降温：降底温度，取出晶体，待后续加工直拉法－几个根本问题 最大生长速度 晶体生长最大速度与晶体中的纵向温度梯度、晶体