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本发明公开了一种碳化硅UMOSFET功率器件及其制备方法，其器件结构包括从下到上依次包括漏电极、N+衬底层、N‑漂移层、N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层、两个源电极；两个所述源电极之间设有源区接触层，所述源区接触层的底端设有栅电极，所述栅电极的外壁上包裹有栅极介质，所述栅极介质依次贯穿所述N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层，所述栅极介质镶嵌在N‑漂移层的顶端。本发明通过在材料生长时改变掺杂气体流量，外延自下而上掺杂浓度渐变的漂移层，达到提高器件击穿电压并保持低导通电阻的目的，最终实现高性能器件
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113013229 A
(43)申请公布日 2021.06.22
(21)申请号 202110209222.4
(22)申请日 2021.02.25
(71)申请人 厦门大学
地址 36
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