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半导体装置的制作方法包括形成交错设置的第一纳米结构的层状物与第二纳米结构的层状物于基板上;形成第一纳米结构的通道区与第二纳米结构的通道区于第一纳米结构的层状物中;形成第一全绕式栅极结构与第二全绕式栅极结构,以包覆第一纳米结构的通道区与第二纳米结构的通道区的每一者。形成全绕式栅极结构的方法包括沉积材料组成与功函数类似的第一栅极阻障层与第二栅极阻障层于第一栅极介电层与第二栅极介电层上;形成第一扩散阻障层与第二扩散阻障层于第一栅极阻障层与第二栅极阻障层上;以及自掺质源层掺杂穿过第一扩散阻障层与第二扩散
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112992789 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202011261071.9
(22)申请日 2020.11.12
(30)优先权数据
16/718,86
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