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本申请涉及一种微型LED的制程方法。该方法包括以下操作。在衬底上生长外延片，在外延片上生长电流扩散层，并在电流扩散层上设置光阻层。将第一光线经过第一光罩照射在光阻层上，该第一光线在光阻层上产生泊松亮斑。对光阻层进行显影，再对电流扩散层和外延片进行蚀刻。将光阻层去除，并在蚀刻后的电流扩散层和外延片上设置金属电极。根据申请的微型LED的制程方法，通过使用泊松亮斑进行光刻制备圆柱形的微型LED，能够减少黄光次数、节约生产成本、以及提高微型LED的精度和产量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112992661 B
(45)授权公告日 2021.11.23
(21)申请号 202011322165.2 H01L 33/00 (2010.01)
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