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半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-11 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法；包括：支撑层，包括焊盘区域；所述支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽；焊垫，位于所述支撑层上，且至少位于所述焊盘区域内，所述焊垫部分嵌入所述凹槽内。上述半导体结构中通过在焊垫下方形成焊盘区域内具有若干个凹槽的支撑层，在焊线键合工艺时即使焊垫平坦且大部分焊垫在键合压力的作用下会被排挤开来，但由于焊垫下方为具有凹槽的支撑层，焊线底部会部分区域陷入凹槽内，使得焊线与焊垫的接触面为凸凹不平状，增大焊线与焊垫的接着性，降低焊线脱落的风险。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992830 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 20191

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