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一种半导体器件的制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制作方法包括：在衬底上形成电流阻挡层，其中，衬底上具有多个呈间隔设置的沟槽，相邻两个沟槽之间的衬底形成衬底柱；在形成有电流阻挡层的衬底上形成第一光刻胶层；在形成有第一光刻胶层的衬底上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层上对应衬底柱的投影位置通过刻蚀工艺形成第一开口；在第一光刻胶层上对应第一开口通过刻蚀工艺形成第二开口；在电流阻挡层上对应第二开口通过刻蚀工艺去除衬底柱顶部的电流阻挡层以形成半导体器件的电流注入窗口。该半导体器件的制作方法能够解
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113013730 A
(43)申请公布日 2021.06.22
(21)申请号 202110213213.2
(22)申请日 2021.02.25
(71)申请人 度亘激光技术（苏州）有限公司
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