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2023-06-11 发布于四川
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一种可有效提高SiC单晶质量的方法及装置.pdf

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本发明为一种可有效提高SiC单晶质量的方法及装置，属于晶体制备技术领域，是针对现有SiC在制备过程中原料利用率低的缺陷所提出，其包括：坩埚和导流罩，坩埚包括坩埚上盖和坩埚主体，籽晶粘贴在坩埚上盖内侧，导流罩通过凸台安装在坩埚主体上部的内壁上，坩埚主体的下部呈阶梯状腔体，在阶梯状腔体内设有用来盛载原料的承载器，承载器设有外沿，且承载器的外沿搭接在阶梯状腔体的顶部，穿过坩埚主体的旋转件带动承载器与坩埚主体产生相对旋转；在导流罩的通道内设有一体结构的石墨滤网。本发明结构简单，操作便捷，可得到质量较高、

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112981523 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110291422.9 (22)申请日 2021.03.18 (71)申请人哈尔滨化兴软控科技有限公司

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