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本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅平面式功率半导体器件，其中，包括：衬底和外延层；形成在外延层上表面的闸极氧化层、介电质层和铝金属层；形成在闸极氧化层上表面的闸极多晶硅层；外延层本体内依次形成P‑掺杂区、N+掺杂区和P+掺杂区，N+掺杂区位于P‑掺杂区内，P‑掺杂区均包覆部分P+掺杂区，P+掺杂区包覆部分N+掺杂区，N+掺杂区的上表面的宽度大于其下表面的宽度。本发明还公开了一种碳化硅平面式功率半导体器件的制作方法。本发明提供的碳化硅平面式功率半导体器件提高了器件的雪崩崩溃能力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112993014 B
(45)授权公告日 2022.04.19
(21)申请号 202110538857.9 H01L 29/78 (2006.01)
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