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一种基于类原子空位缺陷的太赫兹波调制器,属于太赫兹波调制器技术领域。包括衬底,以及形成于衬底之上的超材料结构层;所述超材料结构层包括多个阵列排列的超材料单元,所述超材料单元由4个2×2排列的C型谐振环组成,其中,任意一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒,其余的三个C型谐振环为金属材料。本发明单元结构中的一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒,其余的三个C型谐振环为金属材料,其中,半导体材料或二氧化钒的引入将作为结构单元中的“空位缺陷”,可呈现出双谐振的效果;同时进一步,通过加热或者光泵浦的外部激励
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112987344 B
(45)授权公告日 2022.07.29
(21)申请号 202110320046.1 G02F 1/01 (2006.01)
(22)申请日 2021.03.
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