X射线平板探测器面板结构及其制备方法、平板探测器.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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X射线平板探测器面板结构及其制备方法、平板探测器.pdf

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本发明提供一种X射线平板探测器面板结构及其制备方法，及平板探测器。制备方法包括提供基板，依次形成栅电极、栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极材料层及第一绝缘层，对第一绝缘层进行图形化刻蚀以形成第一开孔以暴露出源漏电极材料层；于第一开孔内形成光电二极管后对第一绝缘层及未被光电二极管覆盖的源漏电极材料层进行图形化刻蚀以形成源极和漏极，之后形成第二绝缘层和公共电极，公共电极与光电二极管电连接且延伸到氧化物薄膜晶体管的上方。本发明经优化的流程设计，利用源漏电极材料层增强光电二极管与氧化物薄膜晶体管有源

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053935 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110183090.2 (22)申请日 2021.02.08 (71)申请人上海奕瑞光电子科技股份有限公司