原创力文档- 1、本文档共15页，其中可免费阅读14页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明揭示一种用于将晶片切割成个别裸片的半导体晶片切割方法，每一裸片包括一个集成电路。所述方法包括：‑将涂层安置于所述晶片上；‑移除所述涂层的至少一部分以暴露所述晶片的将沿着其切割所述晶片的区域以形成工件；‑将所述工件安置于处理室内的压板上；‑以一组等离子体处理条件对所述工件进行等离子体处理以蚀刻所述晶片的所述经暴露区域的一部分，从而形成在所述涂层下面横向延伸以形成底切的晶片凹槽；‑以不同于所述等离子体处理条件的一组等离子体蚀刻条件对所述工件进行等离子体蚀刻，以蚀刻穿过所述晶片且沿着所述晶片凹槽
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113035780 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202011153119.4
(22)申请日 2020.10.26
(30)优先权数据
1917988.6
文档评论（0）