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本发明公开了一种半导体器件的激光模拟剂量率效应等效系数计算方法,包括以下步骤:S1、确定待测半导体器件的类型,设计测试电路;S2、计算器件的结面积和偏置电压下的空间电荷区宽度,估算光生电流值;S3、确定测试电路中串联的电阻值;S4、获取半导体器件受不同辐射强度的脉冲激光和脉冲γ光辐射产生的光电流响应;S5、获得器件的总电荷收集量;S6、基于最小二乘法计算最优等效系数。本发明通过对光电流响应曲线的积分运算获取总电荷量,并将其作为激光和γ射线的等效依据计算等效系数,能够抑制电磁干扰等引入的噪声,进而
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113030679 B
(45)授权公告日 2022.01.28
(21)申请号 202110244054.2 (56)对比文件
(22)申请日 2021.03.05
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