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一种高击穿场强、高光电流密度的铌酸钠基无铅铁电陶瓷材料及其制备方法.pdfVIP

一种高击穿场强、高光电流密度的铌酸钠基无铅铁电陶瓷材料及其制备方法.pdf

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    本发明公开了一种高击穿场强、高光电流密度的铌酸钠基无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(1‑x)NaNbO3‑xBa(Nb0.5Ni0.5)O3‑σ，式中x代表Ba(Nb0.5Ni0.5)O3‑σ占总物质量的摩尔比，x的取值为0.1～0.4。该陶瓷材料通过配料、预烧、球磨、压片、无压密闭烧结等工艺步骤制备而成。本发明制备方法简单、重复性好、成品率高，所得陶瓷材料具有光伏特性、光响应电流高，同时具有高的居里温度、高的极化强度和介电击穿强度，实用性强、易于生产，兼顾光伏特性和陶瓷电容器的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113004038 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202110318193.5 (56)对比文件

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