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2023-06-12 发布于四川
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栅间氧化层的形成方法和屏蔽栅沟槽型器件的形成方法.pdf

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本发明提供了一种栅间氧化层的形成方法和屏蔽栅沟槽型器件的形成方法，应用于半导体技术领域。本发明提供了一种新型栅间氧化层的形成方法，来改善现有的小尺寸低压屏蔽栅沟槽型器件产品中形成的栅间氧化层IPO表面上存在凹槽、凸起等缺陷。具体的，通过在采用湿法刻蚀去除沟槽中的部分屏蔽介质层之后，添加了一步氧化层沉积工艺和一步刻蚀工艺，从而实现了在该沟槽中形成多晶硅栅氧化层和多晶硅栅之前，先用沉积在栅间氧化层IPO表面上的氧化层(第二氧化层)填补其表面上存在的凹槽、空洞等缺陷问题，进而解决了现有技术中由于湿法刻

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013028 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110314486.6 (22)申请日 2021.03.24 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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