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氮化镓半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-12 发布于四川
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氮化镓半导体器件及其制备方法.pdf

    本发明提供一种氮化镓半导体器件及其制备方法，氮化镓半导体器件的制备方法包括采用非本征掺杂剂通过外部碳掺杂法在缓冲层与沟道层之间形成碳掺杂层，外部碳掺杂法的生长条件为：衬底表面温度大于或等于900℃，生长压力大于或等于50mbar以及Ⅴ/Ⅲ比大于或等于200。氮化镓半导体器件中碳浓度均匀且器件击穿均匀性好。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113035712 A (43)申请公布日 2021.06.25 (21)申请号 202110335610.7 H01L 29/778 (2006.01) (22)申请日

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