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外延衬底的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-12 发布于四川
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外延衬底的制造方法.pdf

    本发明披露了一种形成包括氮化物半导体层的外延衬底的方法。该方法包括以下步骤：(a)在衬底上生长成核层，以及(b)在成核层上生长氮化物半导体层。步骤(a)中分别在衬底的源气体流的上游侧和下游侧设置第一生长温度和第二生长温度，其中上游侧的第一温度比下游侧的第二温度低至少5℃且至多10℃，第二温度高于1100℃。本发明的方法降低了泄漏电流在衬底内的分散。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108122740 A (43)申请公布日 2018.06.05 (21)申请号 20171

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