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本发明提供一种大尺寸硅片双面抛光方法,步骤包括:控制置于硅片上方的压盘压力,并选择相应粒径的粗抛液对所述硅片双面进行粗抛;再调整所述压盘压力,并选择相应粒径的精抛液对所述硅片双面进行精抛;所述粗抛液或所述精抛液经同一主管道通过所述压盘流至设于所述硅片双侧的上抛垫和下抛垫;所述精抛液至少包括多元醇类化合物;且所述粗抛液和所述精抛液均包括SiO2和NH4OH的混合液。本发明依次对硅片经过粗抛、精抛之后,再在硅片双面进行水膜处理,即可以完全清除硅片表面的黏着剂,清洗效果好;亦可获得0.5μm以内的平坦
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113001379 A
(43)申请公布日 2021.06.22
(21)申请号 202110286017.8 (51)Int.Cl.
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