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用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法.pdfVIP

用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法.pdf

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    本发明提供了一种用于失效分析的样品的处理方法及失效分析方法，所述用于失效分析的样品的处理方法包括：在晶圆上获取待分析的芯片样品；将所述芯片样品去层至目标铜金属层结构上表面；在所述目标铜金属层结构上表面的待检测位置形成镀碳保护层。本发明的技术方案降低了金属表面出现铜扩散的概率，使得在失效分析过程中制备芯片样品的失败率大大降低，并且缩短了分析周期，加快了找到芯片失效关键原因的速度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113030674 A (43)申请公布日 2021.06.25 (21)申请号 202110209133.X (22)申请日 2021.02.24 (71)申请人 上海华力微电子有限公司

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