半导体结构的形成方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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半导体结构的形成方法及半导体结构.pdf

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本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，其中，半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在基底表面形成介质层；在介质层表面形成掩膜层，掩膜层内具有贯穿掩膜层厚度的第一开口；在第一开口的侧壁形成第一阻挡层，第一阻挡层围成第二开口；形成填充第二开口的第二阻挡层；采用第一刻蚀工艺，去除第一阻挡层和第二阻挡层，直至第一阻挡层或第二阻挡层被完全去除；去除第一开口暴露出的介质层和部分基底，形成位线接触开口，位线接触开口的底部具有凸起区域和凹陷区域，凸起区域和凹陷区域具有高度差；本发明实施例旨在通过

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113035868 B (45)授权公告日 2022.05.31 (21)申请号 202110214102.3 (56)对比文件