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本发明提供了一种提高硅片底面粗糙度的方法，所述方法包括以下步骤：(1)对硅片进行预清洗；(2)将硅片置于惰性气体和碳氢化合物气体的混合气体氛围下，所述惰性气体和碳氢化合物气体的混合气体中碳氢化合物的体积比例为10％～30％；(3)将惰性气体和碳氢化合物气体的混合气体离子化而形成离子束，将步骤(1)预清洗后的硅片底面暴露于离子束中利用离子束蚀刻硅片底面。本发明方法通过将惰性气体和碳氢化合物气体的混合气体形成离子束对硅片底面进行刻蚀，并且通过研究选择了特定的碳氢化合物的体积比例，提高了硅片底面的粗糙
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113035704 A
(43)申请公布日
2021.06.25
(21)申请号 20191
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