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本发明涉及一种引入纵向沟道结构的功率集成芯片，包括：P型衬底区、纵向耐压区、隔离区、MOSFET和二极管区域；所述二极管区域包括二极管、N‑横向漂移区和纵向沟道区；P型衬底区位于芯片底部，P型衬底区上方设置纵向耐压区，纵向耐压区上方一边设置MOSFET，纵向耐压区上方另一边设置二极管区域。本发明的有益效果是：通过加入纵向沟道区并适当调节其沟道长度，来增加纵向耗尽层在N型层的极限深度；当漏极/阳极对源极/参考地形成高压降时，避免了因耗尽层边界扩展到二极管阳极而出现的纵向穿通问题。纵向沟道区提升了功
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113035863 B
(45)授权公告日 2022.06.03
(21)申请号 202110235396.8 H01L 29/78 (2006.01)
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