一种低方阻、超洁净石墨烯透明导电薄膜及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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一种低方阻、超洁净石墨烯透明导电薄膜及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种低方阻、超洁净石墨烯透明电极及其制备方法，方法包括以下步骤：采用化学气相沉积法在金属基底上沉积(2～8)层石墨烯；对长有石墨烯的基底进行处理，得到处理后长有石墨烯的基底；将所述处理后长有石墨烯的基底置于刻蚀液中刻蚀，清洗干净后转移至掺杂剂溶液中，再转移至目标基底，烘干，得到石墨烯透明电极；所述刻蚀液和掺杂剂溶液的表面张力为0.01～1000N/m。本发明制备的石墨烯薄膜表面无任何杂质；掺杂剂位于少层石墨烯和基底之间，缺陷较少的少层石墨烯减少了掺杂剂与外界的接触机会，因此，掺杂的后

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113023719 A (43)申请公布日 2021.06.25 (21)申请号 202110249209.1 (22)申请日 2021.03.08 (71)申请人中国