应用于芯片的N电极及制备方法和VCSEL芯片.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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应用于芯片的N电极及制备方法和VCSEL芯片.pdf

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本发明公开了应用于芯片的N电极及制备方法和VCSEL芯片，N电极包括：Pd层，Pd层设置在芯片的GaAs衬底上；Ge层，Ge层设置在Pd层的远离GaAs衬底的表面上；金属黏附层，金属黏附层设置在Ge层的远离Pd层的表面上；金属阻挡层，金属阻挡层设置在金属黏附层的远离Ge层的表面上；金属打线层，金属打线层设置在金属阻挡层的远离金属黏附层的表面上。本发明的Pd层和Ge层通过较低的退火温度就能实现与GaAs衬底具有较低的接触电阻，从而进一步提高了器件的可靠性。同时，Pd层和Ge层可分别蒸镀形成，在蒸镀

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115693391 A (43)申请公布日 2023.02.03 (21)申请号 202211702659.2 (22)申请日 2022.12.29 (71)申请人华芯半导体研究院（北京）有限公司地