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本发明涉及高温涂层材料技术领域，具体公开了一种纳米晶MoSi2涂层的制备方法及纳米晶MoSi2涂层，MoSi2涂层的制备方法包括以下步骤：将基底置于磁控溅射系统的腔室中，抽真空后通入惰性气体，加热基底至600‑800℃，同时开启钼靶和硅靶的电源进行共沉积，得到MoSi2涂层；其中，钼靶为1个，硅靶为2个，共沉积过程中，控制钼靶和硅靶的溅射速率相同。本发明的纳米晶MoSi2涂层的制备方法简单，能够在基底上原位合成化学计量比的MoSi2涂层，不需要再经过退火处理，能够避免在退火过程中发生晶粒变大以及
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113046714 B
(45)授权公告日 2021.11.23
(21)申请号 202110275815.0 C23C 14/06 (2006.01)
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