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半导体装置的形成方法.pdfVIP

半导体装置的形成方法.pdf

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    本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。当图案化位于介电层下方的蚀刻停止层时，光刻胶层用以保护介电层以及嵌入在介电层中的导电元件。光刻胶层可以进一步用于蚀刻在蚀刻停止层下方的另一个介电层，其中蚀刻下一个介电层会暴露出接触件，例如栅极接触件。底层可以用于保护嵌入介电层中的导电元件不受用于蚀刻蚀刻停止层的湿式蚀刻剂的破坏。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053824 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202011563307.4 (22)申请日 2020.12.25 (30)优先权数据 62/953,74

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