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2023-06-12 发布于四川
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一种三维存储器及其制备方法.pdf

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本申请公开了一种三维存储器及其制备方法。所述方法包括：在衬底上设置包括多个阶梯台阶的叠层结构；形成覆盖每个阶梯台阶顶面和侧壁的缓冲层；去除覆盖每个阶梯台阶侧壁的缓冲层，并在阶梯台阶上方形成介质层；以及去除每个阶梯台阶顶面的缓冲层及其下方的栅极牺牲层的一部分以形成空间，并在空间内填充导电材料以在每个阶梯台阶顶面形成浮动接触结构。所述三维存储器包括：衬底；叠层结构，设置于衬底上，包括形成多个阶梯台阶的交替堆叠的栅极层和层间绝缘层；浮动接触结构，位于每个阶梯台阶的顶面并由导电材料形成。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013174 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110326988.0 (22)申请日 2021.03.26 (71)申请人长江存储科技有限责任公司

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