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半导体存储装置.pdfVIP

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    本发明的一形态的半导体存储装置具备：第1积层部，具有第1周边电路；以及第2积层部，具有存储单元、与存储单元连接的字线、与存储单元及第1周边电路连接的位线、以及选自由与位线连接的第2周边电路及与字线连接的第3周边电路所组成的群中的至少一个周边电路，且设置在第1积层部的上方。至少一个周边电路具备场效晶体管，该场效晶体管具有包含氧化物半导体的通道层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053435 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202010656428.7 (22)申请日 2020.07.09 (30)优先权数据 2019-2383

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