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本公开涉及半导体器件及方法。一个实施例是一种半导体器件，包括：位于半导体衬底上方的第一沟道区域、位于第一沟道区域上方的第二沟道区域、位于半导体衬底上方并且围绕第一沟道区域和第二沟道区域的第一栅极堆叠、从第一沟道区域延伸到第二沟道区域并且沿着第一栅极堆叠的侧壁的第一内部间隔件、从第一沟道区域延伸到第二沟道区域并且沿着第一内部间隔件的侧壁的第二内部间隔件，第二内部间隔件具有与第一内部间隔件不同的材料成分，以及与第一沟道区域、第二沟道区域和第二内部间隔件相邻的第一源极/漏极区域，第一内部间隔件和第二内
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113053822 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202010903157.0 H01L 21/336 (2006.01)
(22)申请日
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