实现压力传感的MEMS器件单片集成结构及其方法.pdfVIP

实现压力传感的MEMS器件单片集成结构及其方法.pdf

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本发明属于传感器技术领域,实现压力传感的MEMS器件单片集成结构及其方法,其中:制作方法,包括以下步骤:(1)氧化,(2)化学气相淀积,(3)真空蒸镀,(4)刻蚀,(5)键合,(6)一步转移,(7)去胶烘焙,(8)图形化,(9)高温退火。MEMS器件单片集成结构,包括腔室密封层、硅衬底层、密封腔、二氧化硅绝缘层、氮化硅绝缘层、电极层及石墨烯压力感应层。本发明的MEMS压力传感器件对单层石墨烯一体成型惠斯通响应电路并借助单层石墨烯的压缩变阻特性实现压力传感,具有灵敏度高、承载压力范围宽、体积小、便

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113044806 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110267764.7 G01L 1/22 (2006.01) (22)申请日 20

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