硅基电光调制器的补偿掺杂方法及其硅基电光调制器.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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硅基电光调制器的补偿掺杂方法及其硅基电光调制器.pdf

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本发明公开了一种硅基电光调制器的补偿掺杂方法，使用III‑V族元素离子垂直注入的方法进行主掺杂构造P‑N结，通过斜向离子注入的方式进行调制区补偿掺杂；本发明还公开一种硅基电光调制器，包括依次堆叠的硅衬底、隐埋氧化硅层、顶层硅波导调制区和顶层覆盖氧化硅层，顶层硅波导调制区的硅波导沿第一方向依次包括n型重掺杂区、n型主掺杂区、p型主掺杂区和p型重掺杂区，其中补偿掺杂后形成的n‑型轻掺杂区和p‑型轻掺杂区分别位于波导脊区两侧上方。优点，波导调制区补偿掺杂降低此类硅基电光调制器的插入损耗，且不会明显影响

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115685444 A (43)申请公布日 2023.02.03 (21)申请号 202211396933.8 (22)申请日 2022.11.09 (71)申请人希烽光电科技（南京