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本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种应用于集成电路高低压隔离的反向电场耦合隔离结构。相对于传统凹槽隔离结构，本发明在凹槽隔离结构内部设置金属电极，该隔离金属电极连接负电源(或零电位)，通过改变凹槽结构的形状，绝缘层介质在不同位置的厚度和形状，凹槽内形成的金属电极的数目和位置，以及不同金属电极的电位来调整所述隔离结构产生的反向电场，以此影响高压器件与低压器件之间的电场分布，达到抑制高低压器件间串扰现象的作用。本发明的有益效果：有效抑制高低压器件之间的串扰现象，占据面积小，成本较低。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113054004 B
(45)授权公告日 2022.08.23
(21)申请号 202110264250.6 (51)Int.Cl.
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