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本申请公开了半导体器件和方法。公开了一种包括围绕功函数金属层的阻挡层的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；第一沟道区域，位于半导体衬底之上；第二沟道区域，位于第一沟道区域之上；栅极电介质层，围绕第一沟道区域和第二沟道区域；功函数金属层，围绕栅极电介质层；以及阻挡层，围绕功函数金属层，围绕第一沟道区域的第一阻挡层与围绕第二沟道区域的第二阻挡层融合。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113053885 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202010638792.0
(22)申请日 2020.07.06
(30)优先权数据
16/842,06
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