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本发明涉及光电半导体技术领域，具体涉及一种热沉和芯片上互镀金锡薄膜的方法，包括以下步骤：S1、采用物理气相沉积的方式在芯片和热沉的表面逐层镀制合金薄膜，得到镀膜芯片和镀膜热沉；S2、将所述镀膜芯片置于所述镀膜热沉上，然后进行真空共晶退火处理，使所述镀膜芯片与所述镀膜热沉之间的浸润界面相互扩散并键合，制得互镀金锡薄膜的热沉‑芯片结构。本发明通过在热沉和芯片的表面分别制备金锡合金薄膜，在回流或贴片键合过程中，由于共晶过程AuSn‑AuSn界面键合更充分，比传统热沉AuSn与芯片表面的镀金层的AuSn
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115693387 A
(43)申请公布日 2023.02.03
(21)申请号 202211398167.9 C23C 14/58 (2006.01)
(22)申请日 2022.11.
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