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本发明提出一种半导体结构的制备方法及半导体结构，半导体结构的制备方法包含以下步骤：提供一衬底，衬底表面形成有功能结构层，功能结构层表面具有微粒；在衬底表面形成第一介电层，第一介电层覆盖功能结构层；研磨去除部分第一介电层，直至暴露出微粒，并将微粒去除，使得剩余的第一介电层表面形成第一凹陷；在第一介电层表面形成第二介电层，第二介电层填充第一凹陷。通过上述工艺设计，本发明提出的半导体结构的制备方法能够避免因功能结构层表面的微粒而导致产生凸起不良，提升了半导体结构的可靠性和使用寿命，且具有工艺流程简单、
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113035769 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202110212376.9
(22)申请日 2021.02.25
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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