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本发明涉及基于元胞结构的沟槽型肖特基二极管器件结构，所述器件采用蜂窝状点阵排列的元胞结构，在整个元胞区上方覆盖有肖特基势垒金属，元胞区相邻沟槽之间不连通，肖特基势垒之间连通。本发明的元胞结构采用蜂窝式的沟槽分布，硅表面沟槽与沟槽之间除了沟槽侧壁的氧化物外，其余部分均为肖特基接触区域，这样在保证减小表面电场的前提下，将肖特基接触区域最大化，从而实现用相同的芯片面积达到VF大幅下降，进而降低二极管导通损耗的效果。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113054039 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202110448706.4
(22)申请日 2021.04.25
(66)本国优先权数
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