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本发明公开了一种用作中子屏蔽的Co－Ta－B－Si块体非晶合金材料及其制备方法，所述Co－Ta－B－Si块体非晶合金由5～15at％的Ta、17～34at％的B、1～10at％的Si和余量的Co组成。Co－Ta－B－Si块体非晶合金具有高硼含量。在0.15nm～0.85nm的宽波长范围内中子透射率小于50％。特别是波长为0.85nm的中子，其透过率仅为10.0～25.0％。本发明块体非晶合金具有高硬度、高强度、高形成能力基础上，同时保留一定塑性的特点，能用于宽范围的中子屏蔽涂层，以及可用在齿轮等
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113088835 A
(43)申请公布日 2021.07.09
(21)申请号 202110300794.3 G21F 1/02 (2006.01)
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