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本发明公开了一种用作中子屏蔽的Co-Ta-B-Si块体非晶合金材料及其制备方法,所述Co-Ta-B-Si块体非晶合金由5~15at%的Ta、17~34at%的B、1~10at%的Si和余量的Co组成。Co-Ta-B-Si块体非晶合金具有高硼含量。在0.15nm~0.85nm的宽波长范围内中子透射率小于50%。特别是波长为0.85nm的中子,其透过率仅为10.0~25.0%。本发明块体非晶合金具有高硬度、高强度、高形成能力基础上,同时保留一定塑性的特点,能用于宽范围的中子屏蔽涂层,以及可用在齿轮等
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113088835 A
(43)申请公布日 2021.07.09
(21)申请号 202110300794.3 G21F 1/02 (2006.01)
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