晶圆级裸片堆叠结构和方法、裸片堆叠封装结构和方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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晶圆级裸片堆叠结构和方法、裸片堆叠封装结构和方法.pdf

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本发明提供了一种晶圆级裸片堆叠结构和方法、裸片堆叠封装结构和方法。堆叠结构包括依次电耦合堆叠的多个晶圆组和顶部互连层，晶圆组各自独立地包括第一晶圆和第二晶圆，各第一晶圆裸片的表面具有第一连接结构以及延伸至第一晶圆裸片内且表面裸露的第一导电结构，各第二晶圆裸片的表面具有第二连接结构以及贯穿至第二晶圆裸片的第二导电结构，各晶圆组的第三连接结构为相互独立的CMOS电路，第一晶圆裸片的第一连接结构和第二晶圆裸片的第二连接结构一一对应地通过第三连接结构电耦合，第一导电结构和第二导电结构通过第三连接结构电耦

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113097185 B (45)授权公告日 2022.01.25 (21)申请号 202110350813.3 (56)对比文件 (22)申请日 2021.03.31

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