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本发明涉及一种硒化亚锗或硫化亚锗多晶薄膜，所述薄膜是在水溶性还原剂、锗源、硫或硒源通过水热法在基底上形成非晶膜后，再进行退火处理得到，多晶薄膜的晶粒以站立取向生长。对于硒化亚锗或硫化亚锗多晶薄膜，其XRD分别在晶面(111)出峰，该晶面为晶粒站立取向，有利于载流子的传输，从而得到光电性能优异的硒化亚锗多晶薄膜。本发明方法不需要气相法通常需要的设备复杂，且需要精确控制工艺参数，而该方法操作设备简单,反应过程较易可控,可大面积生产，同时有利于对薄膜进行掺杂或者合金化处理，所制备的薄膜表面平整，晶粒均
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113097317 B
(45)授权公告日 2022.07.19
(21)申请号 202110362318.4 H01L 31/0445 (2014.01)
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