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2023-06-13 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有层间介质层及位于层间介质层中的导电结构；于层间介质层及导电结构上形成第一隔离介质层；于第一隔离介质层中形成沟槽，所述沟槽暴露出导电结构的上表面及部分侧壁；于沟槽中填充形成导电层结构；其中，沟槽的底部侧壁与导电结构的暴露侧壁之间的距离为第一预设值，沟槽的底部与导电结构的上表面之间的距离为第二预设值。使得导电层结构能够完全填充沟槽且与导电结构完全接触，同时增加了导电层结构和导电结构的接触面积，减小了接触电阻，同时导电层结构与导电结

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113097133 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110362860.X (22)申请日 2021.04.02 (71)申请人长鑫存储技术有限公司

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