半导体工艺腔漏的侦测方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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半导体工艺腔漏的侦测方法.pdf

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本发明公开了一种半导体工艺腔漏的侦测方法，包括：步骤一、半导体工艺腔在工艺过程中产生等离子体，半导体工艺腔在有漏的状态下，空气会进入到半导体工艺腔中，且等离子体所发出的光中包括了空气中的元素所发出的光信号；步骤二、在工艺过程中实时监测空气所包括的元素光信号强度；步骤三、通过空气中的元素光信号强度的大小来侦测所述半导体工艺腔是否发生泄漏。本发明能对半导体工艺腔漏进行实时侦测，当半导体工艺腔发生泄漏时能及时侦测到从而能防止对产品产生不利影响并从而能提高产品良率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113332 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110333843.3 (22)申请日 2021.03.29 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司