发光二极管外延片的生长方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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发光二极管外延片的生长方法.pdf

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本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长N型层、有源层和P型层，所述有源层包括多个周期交替生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层；其中，生长所述有源层的各层InGaN量子阱层时，向反应室内低速通入氨气，并控制所述反应室内通入的氨气的流量先逐渐增加再逐渐减少。该生长方法可以增加InGaN量子阱层中量子点的形成，从而大大降低了电子和空穴发生非辐射复合的概率，进而可以提高LED的内量子发光效率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113113515 B (45)授权公告日 2022.05.13 (21)申请号 202110213538.0 (56)对比文件 (22)申请日 2021.02.25