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一种电场调控原子尺寸器件光电性能的方法.pdfVIP

一种电场调控原子尺寸器件光电性能的方法.pdf

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    本发明公开了一种通过电场调控原子尺寸器件光电性能的方法，首先搭建原子级沟道长度的光电器件，在电场作用下通过调节沟道长度，控制光电性能的变化，本发明测量沟道长度精度达到0.01nm，达到了原子级，通过施加电场，实现原子级沟道长度可控调节，从而实现了器件电导率和光电开关比的调控，建立了原子级沟道长度与光电性能的定量关联。本发明对场效应晶体管、光电探测器、传感器等器件性能以至整个MEMS的设计都有着非常重要的指导作用。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113063968 A (43)申请公布日 2021.07.02 (21)申请号 202110283405.0 (22)申请日 2021.03.17 (71)申请人 湘潭大学 地址 41

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