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本发明公开了一种基于机器学习的半导体器件敏感性分析方法,其可实现半导体器件性能自动分析,可提高分析准确性,该方法基于环形振荡器实现,包括:获取半导体器件工艺参数,获取半导体器件电学性能参数,对半导体器件电学性能进行敏感性分析,对关键工艺参数进行相似性检验,筛选出重要的制程变异参数,环形振荡器包括开关、半导体器件组合、与半导体器件组合并联的延时电路、放大器,半导体器件组合包括若干串联的半导体器件,延时电路连接放大器的输入端,放大器的输出端为信号输出端,延时电路包括若干串联的延迟级,电学性能参数获取
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113065306 A
(43)申请公布日 2021.07.02
(21)申请号 202110288543.8
(22)申请日 2021.03.18
(71)申请人 广东
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