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2023-06-13 发布于四川
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半导体装置.pdf

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本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括鳍片、栅极堆叠、栅极间隔物、外延源极/漏极区及接触插塞。鳍片延伸自基板；栅极堆叠位于鳍片的侧壁上且沿着鳍片的侧壁；栅极间隔物，沿着栅极堆叠的侧壁；外延源极/漏极区位于鳍片中且邻近栅极间隔物，外延源极/漏极区包括第一外延层、第二外延层。第一外延层位于鳍片上，第一外延层包括硅及砷；第二外延层位于第一外延层上，第二外延层包括硅及磷，第一外延层将第二外延层与鳍片分隔；接触插塞位于第二外延层上。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113408 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110184580.4 (22)申请日 2021.02.10 (30)优先权数据