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- 2023-06-13 发布于四川
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本发明涉及电磁超材料领域,特别是一种石墨烯‑二氧化钒超材料吸收器及可调谐太赫兹器件。该超材料吸收器具有多层结构,按照自上至下的结构顺序,超材料吸收器包括:二氧化钒谐振器阵列、连续石墨烯层、Topas介质层,以及金属层。其中,二氧化钒谐振器阵列包括沿水平面呈阵列排布的多个由二氧化钒材料制备的谐振器单元,谐振器单元呈一体式的工字型,每个谐振器单元与水平面的X轴方向具有小于90°的夹角。连续石墨烯层由单层碳原子排列构成;二氧化钒谐振器阵列贴合在连续石墨层的上表面。Topas介质层位于连续石墨烯层下方。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113078474 B
(45)授权公告日 2022.06.07
(21)申请号 202110367173.7 CN 106200016 A,2016.12.07
(22)申请日 20
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